РІВЕНЬ ФЕРМІ В КРИСТАЛАХ n-CdSb З ГЛИБОКИМИ ЕНЕРГЕТИЧНИМИ РІВНЯМИ ДЕФЕКТІВ

Автор(и)

  • С.А. Федосов Волинський національний університет імені Лесі Українки
  • Д.А. Захарчук Луцький національний технічний університет
  • О.В. Замуруєва Волинський національний університет імені Лесі Українки
  • Ю.В. Коваль Луцький національний технічний університет

DOI:

https://doi.org/10.36910/775.24153966.2023.75.30

Ключові слова:

рівень Фермі, антимонід кадмію, легування, домішки, гамма-опромінення, радіаційні дефекти

Анотація

За результатами температурних залежностей концентрації носіїв струму досліджено зміни положення рівня Фермі у кристалах n-CdSb, легованих домішками Te і In, до і після опромінення γ-квантами 60Co. Розглянуто особливості положення рівня Фермі від температури в області домішкової та власної провідності. Дослідження базується на результатах експериментальних даних холлівських вимірювань і електропровідності. Для коректної оцінки температурної залежності рівня Фермі проведено аналіз граничних розв’язків рівняння електронейтральності, враховано температурні зміни ширини забороненої зони і рівня дефектів.

##submission.downloads##

Опубліковано

2023-10-07

Номер

№ 75 (2023): Наукові нотатки

Розділ

Статті