РАДІАЦІЙНО-СТИМУЛЬОВАНЕ ЗРОСТАННЯ РУХЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОНІВ В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Ключові слова:
радіаційні дефекти, iнфрачервона Фур’є-спектроскопiя, ефект Холла, холівська рухливість, монокристали n-Si
Анотація
На основі вимірювань iнфрачервоної Фур’є-спектроскопiї та ефекту Холла було встановлено, що основними
радіаційними дефектами, які впливають на електричні властивості опромінених різними потоками електронів з
енергією 12 МеВ монокристалів n-Si, є комплекси VOi
, CiOi та VOiP. Величина холівської рухливості електронів
буде визначатися механізмами фононного розсіяння, розсіянням електронів на іонах домішки фосфору, заряджених
радіаційних дефектах та флуктуаційному потенціалі. Встановлено, що опромінення n-Si потоком електронів
Ф=5·1016 ел./см2
призводить до аномального зростання холівської рухливості.
