МЕХАНІЗМ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ МОНОКРИСТАЛУ (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300
Анотація
Монокристал (Ga54.59In44.66Er0.75)2S300 вирощений методом розчину-розплаву і опромінений γ-променями дозою 420, 1260, 2520, 5040 Гр з допомогою джерела 60Co. Зафіксовано інтенсивне люмінесцентне випромінювання в інтервалах 1,48 – 1,61 і 0,75 – 0,86 еВ при збудженні лазером із довжиною хвилі 532 нм. Побудовано діаграму енергетичних рівнів для іонів Ербію та встановлено механізм випромінювання, в якому важливу роль відіграє процес кросрелаксації. При високих дозах опромінення (2520, 5040 Гр) відбувається збільшення інтенсивності люмінесцентного випромінювання, яке пов’язується із ростом концентрації γ-індукованих дефектів кристалу.