ОКРЕМІ АСПЕКТИ ТЕОРІЇ ВІДПАЛУ ДЕФЕКТІВ В ОПРОМІНЕНИХ КРИСТАЛАХ CdSb

Анотація

Процеси утворення і перебудови радіаційних дефектів при опроміненні і відпалі можна розглядати як сукупність квазіхімічних реакцій різного порядку. Деякі із них важко звести до форми, яка б давала можливість проаналізувати часову залежність концентрації дефектів при відпалі.
Важливим параметром, який визначає кінетику відпалу дефектів, є енергія активації відпалу. Існує багато методів визначення цієї енергії. Ми користувалися методом перерізів, який ґрунтується на аналізі кривих Арренiуса при різних температурах відпалу. Для визначення області термостійкості радіаційних дефектів використовувалася методика ізохронного відпалу.