СТАТИСТИКА НОСІЇВ ЗАРЯДУ В ВИРОДЖЕНОМУ І НЕВИРОДЖЕНОМУ НАПІВПРОВІДНИКУ

Анотація

Електрони в зоні провідності та дірки у валентній зоні можна розглядати як ідеальний Фермі-газ. У напівпровідниках при не дуже низьких температурах кінетична енергія електронів більша за кулонівську енергію, тому електрони можна розглядати як вільні. Для ідеального Фермі-газу ймовірність заповнення стану з енергією E при температурі Т знаходиться за допомогою розподілу Фермі.
Для виродженого і невиродженого напівпровідника знайдено вирази для обчислення концентрацій носіїв заряду, електронів у зоні провідності і дірок у валентній зоні, коли відомо положення рівня Фермі. Вирази для концентрації електронів і дірок значно спрощуються, якщо напівпровідник є невироджений.