ПРЯМІ І НЕПРЯМІ ПЕРЕХОДИ У КРИСТАЛІЧНИХ СПОЛУКАХ ТlInX2–SnX2 (X – S, Se)
Ключові слова:
кристал, молярний вміст, прямі та непрямі переходи, енергетична щілина, коефіцієнт поглинання, фоточутливість
Анотація
У роботі представлені результати оптичних і фотоелектричних вимірювань та їх аналіз для кристалічних сполук ТlInX2–SnX2 (X – S, Se) у діапазоні довжин хвиль 0,4÷1,1 мкм при температурі Т=300 К. Робота переслідує мету дослідити вплив молярного вмісту SnS2, SnSe2 на механізми міжзонних переходів та основні фотонні параметри кристалів твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnx(S,Se)2. Встановлено, що зміна фізичних властивостей від молярного вмісту компонент x, пов’язаних з перебудовою зонної структури, значно розширює функціональні можливості кристалічних сполук Tl1-xIn1-xSnxS2 (x = 0÷0,5) і Tl1-xIn1-xSnxSe2 (x = 0÷0,25), як перспективних матеріалів оптоелектронних пристроїв.
