ТЕМПЕРАТУРНІ ЗАЛЕЖНОСТІ РІВНЯ ФЕРМІ В МОНОКРИСТАЛАХ АНТИМОНІДУ КАДМІЮ З ГЛИБОКИМИ ЕНЕРГЕТИЧНИМИ РІВНЯМИ
DOI:
https://doi.org/10.36910/775.24153966.2023.76.28Ключові слова:
рівень Фермі, монокристал, CdSb, глибокий енергетичний рівень, γ-опромінення, легуванняАнотація
У статті розраховано і проаналізовано залежності рівня Фермі для температури 77 – 300 К в монокристалах
CdSb з глибокими енергетичними рівнями Ес – 0,12 еВ, Ес – 0,16 еВ та Ес – 0,3 еВ, які отримані відповідно: у першому
випадку – легуванням телуром, у другому випадку – γ-опроміненням дозою Ф ~·1018 γ-квант/см2 легованих телуром
кристалів і в третьому випадку – γ-опроміненням дозою Ф ~ 4·1018 γ-квант/см2 легованих індієм кристалів. Показано,
що при підвищенні температури рівень Фермі знижується в напрямку від зони провідності до середини забороненої
зони внаслідок того, що концентрація носіїв заряду збільшується в зоні провідності і зменшується на глибоких
рівнях, тобто вони виснажуються.
