РІВЕНЬ ФЕРМІ В КРИСТАЛАХ n-CdSb З ГЛИБОКИМИ ЕНЕРГЕТИЧНИМИ РІВНЯМИ ДЕФЕКТІВ

С.А.  Федосов; Д.А.  Захарчук; О.В.  Замуруєва; Ю.В.  Коваль

doi:10.36910/775.24153966.2023.75.30

С.А. Федосов Волинський національний університет імені Лесі Українки
Д.А. Захарчук Луцький національний технічний університет
О.В. Замуруєва Волинський національний університет імені Лесі Українки
Ю.В. Коваль Луцький національний технічний університет

DOI: https://doi.org/10.36910/775.24153966.2023.75.30

Ключові слова: рівень Фермі, антимонід кадмію, легування, домішки, гамма-опромінення, радіаційні дефекти

Анотація

За результатами температурних залежностей концентрації носіїв струму досліджено зміни положення рівня Фермі у кристалах n-CdSb, легованих домішками Te і In, до і після опромінення γ-квантами ⁶⁰Co. Розглянуто особливості положення рівня Фермі від температури в області домішкової та власної провідності. Дослідження базується на результатах експериментальних даних холлівських вимірювань і електропровідності. Для коректної оцінки температурної залежності рівня Фермі проведено аналіз граничних розв’язків рівняння електронейтральності, враховано температурні зміни ширини забороненої зони і рівня дефектів.