ОСОБЛИВОСТІ ТЕНЗООПОРУ МОНОКРИСТАЛІВ N-GE ПРИ СИЛЬНИХ ОДНОВІСНИХ ТИСКАХ

Анотація

Досліджено тензорезистивний ефект в монокристалах n-Ge при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту в умовах, коли одновісний тиск прикладався вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. Зростання тензоопору досліджувальних монокристалів n-Ge пояснюється зменшенням рухливості електронів при одновісному тискові, яка при деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] та [111] стає тензором. При одновісних тисках P//[100] значне зростання тензоопору пов’язане з (L₁-Δ₁) – інверсією типу абсолютного мінімуму в германії. Одержані залежності тензоопору n-Ge можуть бути використані при конструюванні тензодатчиків з широким діапазоном тензочутливості.