ОСОБЛИВОСТІ ЗМІНИ СПЕКТРАЛЬНОГО РОЗПОДІЛУ КОЕФІЦІЄНТА ПОГЛИНАННЯ КРИСТАЛІВ TlGaSe2, ЛЕГОВАНОГО Cd

Анотація

В даній роботі розроблено технологічні умови росту кристалів, досліджено вплив зміни температури в інтервалі Т=100-300 К на зміну оптичних властивостей, що відбуваються в кристалах TlGaSe₂ та TlGaSe₂–CdSe, оцінено ширину забороненої зони при прямих та непрямих дозволених переходах, розраховано енергію Урбаха та параметр крутизни.