РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ ОПРОМІНЕНИХ ЕЛЕКТРОНАМИ МОНОКРИСТАЛІВ n-Ge

Анотація

Досліджено залежності питомого опору від потоку електронного опромінення з енергією 10 МеВ для монокристалів германію, легованих домішкою сурми, при різних температурах. Для всіх одержаних залежностей характерним є наявність максимуму, який пов’язаний з максимальним ступенем компенсації опромінених монокристалів n-Ge та найбільш ефективним розсіянням електронів на утворених радіаційних дефектах для певного потоку опромінення. Встановлено, що при підвищенні температури питомий опір n-Ge зменшується за рахунок іонізації глибоких рівнів радіаційних дефектів та зростання рухливості носіїв струму. Для потоків Ф≥2·10¹⁶ ел./см² спостерігається значне зменшення питомого опору германію при переході через максимум, що пояснюється зростанням концентрації носіїв струму внаслідок n-p-конверсії типу провідності германію. Найбільшу радіаційну стійкість до електронного опромінення мають монокристали n-Ge, опромінені кратно меншими потоками електронів за Ф=5·10¹⁵ ел./см² або потоками Ф>2·10¹⁶ ел./см². Одержані результати є важливими при конструюванні та експлуатації електронних приладів та сенсорів, виготовлених на основі германію, які функціонують в полях підвищеної радіації.